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ネオジガレート基板

 NaGaO3(110)は磁性体、強誘電体、超電導体のエピタキシャル成長用基板として広く用いられています。また(011)面は格子長や対称性がGaN(0001)に近いため、GaN用エピタキシャル基板としても注目されています。
 弊社では、CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。皆様の研究にぜひお役立て下さい。


物性
組成 NdGaO3
結晶系 斜方晶系
結晶構造 擬ペロブスカイト構造
格子定数 a=0.5431 nm
b=0.5499 nm
c=0.7710 nm
融点 1650 ℃
密度 7.56 g/cm3
育成方法 CZ法
誘電率 20〜25 (27℃,1 MHz)
熱膨張係数 10×10-6/℃

ネオジガレート結晶のロッキングカーブ


標準仕様
サイズ
(外形公差:±0.1mm
厚み公差:±0.05mm)
10×10×0.5 mmt
15×15×0.5 mmt
面方位
(公差:±0.5°)
(100), (001)
(110), (011)
研磨 片面研磨、両面研磨
 表面粗さ Ra≦1.0 nm
Rmax≦5.0 nm
平坦度
(λ=632.8 nm)
10×10基板 ≦λ
15×15基板 ≦1.5 λ
オプション OFF基板
ブレイク溝付き基板

※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。

※納期について
 標準品:受注後約1週間
 特殊仕様品:受注後約1か月〜



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