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ランタンアルミネート基板

 CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。様々なエピタキシャル成長に最適なランタンアルミネート基板を皆様のご研究にお役立て下さい。

物性
組成 LaAlO3
結晶系 三方晶(擬立方晶)※
結晶構造 擬ペロブスカイト構造
格子定数 a=0.379 nm
(擬立方晶系表示)
融点 2100 ℃
育成法 CZ法 
密度 6.52 g/cm3
(20 ℃)
誘電率 15〜22
(300 K, 1MHz)
熱膨張係数 12.6×10-6/℃
相転移温度 420℃
(三方晶⇔立方晶)
双晶 相転移に伴い発生
※LaAlO3は正確には三方晶(a=0.5357 nm, α=60.1°)ですが、
 一般的には擬立方晶あるいは六方晶系として扱われます



標準仕様
サイズ
(外形公差:±0.1mm
厚み公差:±0.05mm)
10×10×0.5 mmt
15×15×0.5 mmt
面方位
(公差:±0.5°)
(100), (110)
※擬立方晶系表示
研磨 片面研磨、両面研磨
表面粗さ Ra≦1.0 nm
Rmax≦5.0 nm
オプション STEP基板
 OFF基板
ブレイク溝付き基板

※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。

※納期について
 標準品:受注後約1週間
 特殊仕様品:受注後約1か月〜






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