HOME


HOME

企業情報

製品情報

技術情報

結晶とは?

カタログ

採用情報

English

連絡先
住所
電車でお越しの方
お車でお越しの方
電話番号 お問い合わせフォーム

サファイア基板

 弊社では、V族窒化物半導体薄膜、超電導薄膜、誘電体薄膜などエピタキシャル成長に最適なサファイア基板を提供しております。
 当社オリジナルのTSMG法をもちいて結晶育成から加工まで社内で一貫生産しております。

 サファイアの結晶品質、基板表面の加工品質、洗浄・梱包レベルの高さにおきましては
国内外で多くのお客様から高い評価をいただいております。

物性
組成 Al2O3
 結晶系  三方晶系(菱面体晶系)
 結晶構造  コランダム型構造
 格子定数(nm)  a=0.47588, c=1.2992
(六方晶系表示
 融点(℃)  2040
 密度(g/cm3)  3.987
 育成方法 TSMG法、キロプロス法 
 誘電率  (//c軸) 9.41 at 30 GHz
 誘電損失  (//c軸) 3×10-5 at 30 GHz
 線膨張係数(10-6/℃) a軸:6.93, c軸:7.63 at 200 ℃
a軸:8.89 , c軸:9.97 at 1000 ℃
※サファイアは正確には三方晶系(a=0.513 nm, α=55.1 °)ですが、
 一般的には六方晶系として扱われています。

   サファイアのロッキングカーブ

標準仕様
サイズ(mm)
(公差)
10×10
15×15
(±0.1)
φ50.8
(±0.25)
φ76.2
(±0.25)
厚み(mm)
(公差±0.05)
0.5 0.33、0.43 0.55
平坦度(μm) <1 <10 <25
 純度(%) >99.99 >99.99 >99.99
面方位
(公差±0.5°)
c面(0001)
r面(01-12)
a面(11-20)
m面(10-10)
c面(0001)
r面(01-12)
a面(11-20)
m面(10-10)
c面(0001)
r面(01-12)
a面(11-20)
m面(10-10)
研磨 片面, 両面 片面, 両面 片面, 両面
 梱包 10枚 25枚、真空パック 25枚、真空パック
 オプション STEP基板
OFF基板
バイクリスタル基板
レーザーマーキング 
STEP基板
OFF基板
バイクリスタル基板
レーザーマーキング 
STEP基板
OFF基板
バイクリスタル基板
レーザーマーキング 
※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。

※納期について
 標準品:受注後約1週間
 特殊仕様品:受注後約1か月〜

 COPYRIGHT c 2006 SHINKOSHA CO., LTD. All Rights Reserved.
このサイトに関するお問合せはこちら プライバシーポリシーについてはこちら